מבנה והרכב של מד טווח פוטואלקטרי אינפרא אדום
מד הטווח אינפרא אדום מורכב בעיקר מיחידה פולטת אור מאופנת, יחידת קליטה, יחידת מדידת פאזה, יחידת ספירה והצגה, יחידת בקרה לוגית וממיר הספק. מקור האור הוא בדרך כלל גליום ארסניד (GaAs) דיודה פולטת אור מוליכים למחצה. כאשר זרם ניכר עובר דרך צומת ה-PN של דיודת GaAs, צומת ה-PN יפלוט אור קרוב לאינפרא אדום עם אורך גל של 0.72 מיקרומטר ו-0.94 מיקרומטר, אשר נובע מה- ריקומבינציה של אלקטרון-חור במוליך למחצה GaAs המסומם. , האנרגיה העודפת משתחררת בצורה של פוטונים. יתר על כן, עוצמת האור הנפלט תשתנה עם זרם ההזרקה. לכן, אם הוא משמש כמקור האור של מד הטווח, אפנון המשרעת של עוצמת האור הנפלט יכול להתבצע ישירות על ידי שינוי גודל זרם ההזנה, כלומר, להתקן פולט אור מוליכים למחצה זה יש את הפונקציות הכפולות של " קרינה" ו"אפנון".
מכשיר ההמרה לזיהוי צילום אינפרא אדום המשמש לקליטת אור מאופנן הוא בדרך כלל פוטודיודת סיליקון או פוטודיודת מפולת, ולהתקנים אלו יש "אפקט פוטו-מתח". כאשר אור חיצוני מוקרן על צומת ה-PN שלו, עקב השפעת המרת האנרגיה הפוטואלקטרית, יכול להיווצר הבדל פוטנציאלי בשני הקטבים של PN, וגודלו ישתנה עם עוצמת האור הנכנס, ובכך לשחק את התפקיד של " דמודולציה".
