כיצד להשתמש במולטימטר מצביע כדי לקבוע את הקוטביות של טרנזיסטור
① כדי להבדיל בין הבסיס B, הגדר את המולטימטר המצביע למיקום 1K, חבר את הבדיקה השחורה לכל סיכה של הטרנזיסטור, ואת הבדיקה האדומה לשני הסיכות האחרות כדי למדוד את ערכי ההתנגדות קדימה ואה הפוכה של הטרנזיסטור עד ששני ערכי ההתנגדות המדודים הם גבוהים (אם ערך התנגדות אחד הוא גבוה והשני נמוך במהלך המדידה, הגשש השחור צריך arecode to Sting כדי להחלף). בשלב זה, האלקטרודה המחוברת לבדיקה השחורה היא בסיס B של הטרנזיסטור. והטרנזיסטור שנבדק הוא טרנזיסטור PNP. אם ערכי ההתנגדות של שתי האלקטרודות שנמדדו הם שניהם קטנים מאוד בשלב זה, אז הבסיס B של הטרנזיסטור המחובר לבדיקה השחורה הוא טרנזיסטור NPN, והטרנזיסטור שנמדד הוא טרנזיסטור NPN.
② אפליה בין אספן C לפולט E; עבור חומר גרמניום PNP ו- Transistor NPN, ניתן להשתמש בשיטה לעיל כדי לקבוע תחילה את הבסיס B של הטרנזיסטור, ואז למקם את המולטימטר המצביע במיקום R * 1K, למדוד את ערכי ההתנגדות של שתי האלקטרודות שנותרו והחליפו את שתי הבדיקות. במדידה עם ערך התנגדות קטן יותר, אם הטרנזיסטור שנבדק הוא סוג PNP, האלקטרודה המחוברת לבדיקה האדומה היא אספן C, והאלקטרודה המחוברת לבדיקה השחורה פולטת E. אם הטרנזיסטור שנבדק הוא טרנזיסטור NPN, האלקטרודה המחוברת לבדיקה האדומה היא הפולט E, והאלקטרודה המחוברת לבדיקה השחורה היא האספן ג.
עבור טרנזיסטור חומר סיליקון מסוג NPN, ניתן לחבר נגד 100K Ω בין הבסיס B לאספן ג. על פי שיטת המדידה לעיל, ניתן למדוד את ערך ההתנגדות בין שתי האלקטרודות למעט הבסיס B. ערך ההתנגדות הקטן יותר נמדד כאשר הבדיקה השחורה המחוברת לאספן C של הטרנזיסטור והבחון האדום המחובר לפולט E.
בידיעת שלושת הקטבים של טרנזיסטור, יש דרך נוחה להעריך מראש את יכולת ההגברה שלו.
עבור טרנזיסטור מסוג NPN עשוי מחומר סיליקון; הגדר את המולטימטר למיקום RX1K, כאשר הבדיקה האדומה מחוברת לאספן C ולבחון השחור המחובר לפולט E. אם הבסיס ריק, החזק את אספן C של הטרנזיסטור ביד אחת. גוף האדם הוא כמו נגד הטיה בסיסית, והשתמש בלשונך כדי ללקק את בסיס הטרנזיסטור. בשלב זה, המצביע של המולטימטר מסוג המצביע ישתנה מייד מערך התנגדות גבוה לערך התנגדות נמוך (כלומר, ערך התנגדות נדנדה). שיטה זו עשויה להיות מעט מיושנת, אך היא מתאימה מאוד. חברים מעוניינים יכולים לנסות את זה.
