אחסון אנרגיה מקבלי מוצא במיתוג ספקי כוח
בגרף יחסי מתח-מטען, הקיבול מוצג כקו אלכסוני, והאנרגיה האצורה בקיבול היא השטח הכלול מתחת לקו. למרות שקיבול המוצא של ה-MOSFET אינו ליניארי ומשתנה בהתאם למתח הניקוז, האנרגיה המאוחסנת בקיבול המוצא היא עדיין האזור הכלול מתחת לקו הקיבול הלא ליניארי. לכן, אם נוכל למצוא קו ישר שנותן את אותו השטח כמו השטח הכלול בעקומת קיבול המוצא המשתנה המוצגת באיור. 1, השיפוע של הקו הוא בדיוק קיבול הפלט המקביל שמייצר את אותה כמות אנרגיה מאוחסנת.
עבור חלק מ-MOSFETs בטכנולוגיה מישורית ישנים יותר, ייתכן שהמעצב יוכל למצוא את קיבול המוצא המקביל באמצעות התאמה של עקומה המבוססת על ערכי קיבול המוצא בגיליון הנתונים במתח מקור הניקוז המצוין בדרך כלל של 25V.
לפיכך, ניתן לקבל את אגירת האנרגיה ממשוואה אינטגרלית פשוטה.
לבסוף, קיבול המוצא האפקטיבי הוא
הערך הנמדד של קיבול המוצא ועקומת ההתאמה הנגזרת מ-Eq. (3). זה עובד היטב ביחס לטכנולוגיה הישנה MOSFET באיור 2(א). עם זאת, עבור MOSFETs המשתמשים בטכנולוגיות חדשות יותר כגון טכנולוגיית superjunction, כאשר לקיבול הפלט יש מאפיינים לא ליניאריים יותר, התאמה פשוטה של עקומה מעריכית היא לפעמים לא מספיק טובה. איור 2(ב) מציג את קיבול המוצא הנמדד של MOSFET *טכנולוגיה חדשה ואת העקומה המותאמת באמצעות משוואה (3). עבור ערך קיבול המוצא המקביל, הפער בין השניים באזור המתח הגבוה מוביל להפרש עצום, שכן המתח מוכפל עבור הקיבול במשוואה האינטגרלית. האומדן באיור 2(ב) יביא לקיבול שווה ערך גדול בהרבה, מה שעלול להטעות את התכנון הראשוני של הממיר.
קיבול מוצא משוער, (א) MOSFET ישן, (ב) MOSFET חדש
אם ערך קיבול המוצא משתנה בהתאם למתח מקור הניקוז, ניתן למצוא את האנרגיה המאוחסנת בקיבול המוצא באמצעות משוואה (4). למרות שעקומת הקיבול מוצגת בגיליון הנתונים, לא קל לקרוא את ערך הקיבול מהגרף**. לכן, בהתבסס על מתח מקור הניקוז, האנרגיה המאוחסנת בקיבול המוצא ניתנת על ידי הגרף בגליון הנתונים *New Power MOSFET. באמצעות העקומה המוצגת באיור 3, ניתן לקבל את קיבול המוצא המקביל במתח האוטובוס הרצוי של הזרם הישר (DC) באמצעות משוואה (5).
