יישומים של מיקרוסקופים אינפרא אדום במיקרו-מכשירים של תעשיית האלקטרוניקה
מבוא רקע
עם התפתחות הננוטכנולוגיה, שיטת המזעור שלה מלמעלה למטה יושמה יותר ויותר בתחום טכנולוגיית המוליכים למחצה. טכנולוגיית IC כונתה בעבר כטכנולוגיית "מיקרואלקטרוניקה" מכיוון שגודל הטרנזיסטורים היה בסולם המיקרומטר (10⁻⁶ מטר).
עם זאת, טכנולוגיית המוליכים למחצה מתקדמת במהירות, עם דור חדש שמתהווה כל שנתיים וגדלים מתכווצים בחצי. זהו חוק מור הידוע. לפני כ-15 שנה, תעשיית המוליכים למחצה נכנסה לעידן התת-מיקרומטר, שבו הממדים קטנים ממיקרומטר אחד, ואחריו עידן התת-מיקרומטר העמוק עם גדלי תכונה הרבה מתחת למיקרומטר אחד. עד 2001, מימדי הטרנזיסטור אפילו ירדו מתחת ל-0.1 מיקרומטר, כלומר פחות מ-100 ננומטר. לכן אנו נמצאים בעידן הננו-אלקטרוניקה, ורוב המעגלים המשולבים העתידיים (ICs) ייוצרו באמצעות ננוטכנולוגיה.
דרישות טכניות
נכון לעכשיו, מצב הכשל העיקרי של רכיבים אלקטרוניים הוא כשל תרמי. הסטטיסטיקה מראה כי 55% מהתקלות במכשירים אלקטרוניים נגרמות על ידי טמפרטורות החורגות מהגבולות שצוינו. ככל שהטמפרטורה עולה, שיעור הכשל של מכשירים אלקטרוניים עולה באופן אקספוננציאלי. באופן כללי, האמינות התפעולית של רכיבים אלקטרוניים רגישה ביותר לטמפרטורה. כאשר טמפרטורת המכשיר היא בטווח של 70-80 מעלות, כל עלייה של מעלה אחת מפחיתה את האמינות ב-5%. לכן נדרשת מדידת טמפרטורה מהירה ואמינה של רכיבים. ככל שהתקני מוליכים למחצה ממשיכים להתכווץ בגודלם, דרישות גבוהות יותר מוטלות על רזולוציית הטמפרטורה והרזולוציה המרחבית של ציוד בדיקה.
