יישום של מיקרוסקופ אינפרא אדום במכשירי מיקרו בתעשייה האלקטרונית
כיוון יישום: הפונקציה של מיקרוסקופ אינפרא אדום במדידת הטמפרטורה של התקני מוליכים למחצה מיקרו.
שנית, הרקע:
עם התפתחות הננוטכנולוגיה, המיניאטור שלה מלמעלה למטה יושם יותר ויותר בתחום טכנולוגיית המוליכים למחצה. נהגנו לקרוא לטכנולוגיית IC "מיקרואלקטרוניקה", מכיוון שגודל הטרנזיסטורים הוא ברמת המיקרון (10-6 מטר). עם זאת, טכנולוגיית המוליכים למחצה מתפתחת מהר מאוד, והיא תתקדם בדור אחד כל שנתיים, וגודלה יצטמצם למחצית מגודלה המקורי. זהו חוק מור המפורסם. לפני כ-15 שנה, מוליכים למחצה החלו להיכנס לעידן של תת-מיקרון, כלומר פחות ממיקרון, ואז היה עידן של תת-מיקרון עמוק והרבה יותר קטן ממיקרון. ב-2001, גודל הטרנזיסטור היה אפילו פחות מ-0.1 מיקרון, כלומר פחות מ-100 ננומטר. לכן, זהו עידן הננו-אלקטרוניקה, ורוב ה-IC העתידי יהיה עשוי מננו-טכנולוגיה.
שלישית, הדרישות הטכניות:
נכון לעכשיו, צורת הכשל העיקרי של מכשירים אלקטרוניים היא כשל תרמי. על פי הסטטיסטיקה, 55 אחוז מתקלות במכשירים אלקטרוניים נגרמות כתוצאה מהטמפרטורה החורגת מהערך שצוין. עם עליית הטמפרטורה, שיעור הכשל של מכשירים אלקטרוניים עולה באופן אקספוננציאלי. באופן כללי, אמינות העבודה של רכיבים אלקטרוניים רגישה ביותר לטמפרטורה, והאמינות תקטן ב-5 אחוזים על כל עלייה של מעלה אחת בטמפרטורת המכשיר ברמה של 70-80 מעלות. לכן, יש צורך לזהות את הטמפרטורה של המכשיר במהירות ובאמינות. ככל שגודלם של התקני מוליכים למחצה הולך וקטן, מוצעות דרישות גבוהות יותר לרזולוציית הטמפרטורה והרזולוציה המרחבית של ציוד זיהוי.
רביעית, צלם את מפת החום במקום (מיקום: מודל מכון מחקר מדעי ידוע: INNOMETE SI330)
